隨著數(shù)據(jù)中心適應現(xiàn)代數(shù)字工作負載日益增長的需求，對更快、更高容量的內(nèi)存解決方案的需求變得至關重要。在當今以數(shù)據(jù)為驅(qū)動的格局中，挑戰(zhàn)層出不窮，這些挑戰(zhàn)是由云計算、人工智能、大數(shù)據(jù)分析和實時處理的需求不斷增加所驅(qū)動的。研華科技的SQR-RD5N DDR5 5600MT/s 128GB ECC RDIMM正在引領這一變革，提供了先進技術，使數(shù)據(jù)中心能夠以出色性能運行。
SQRAM為數(shù)據(jù)中心帶來哪些好處？
SQR-RD5N的數(shù)據(jù)傳輸速率高達5600MT/s，明顯快于早期的DDR4模塊。這種高速度對于運行復雜應用的數(shù)據(jù)中心至關重要，如人工智能和機器學習，這些應用需要快速訪問大型數(shù)據(jù)集。增加的帶寬降低了延遲，使關鍵應用的處理速度更快，運行更加高效。
SQR-RD5N擁有128GB的超大容量，可滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的大規(guī)模內(nèi)存需求。這種高容量對于涉及大數(shù)據(jù)、虛擬化和高性能計算的任務特別有益，其中大內(nèi)存容量對于保持順暢和高效的操作至關重要。
ECC糾錯技術對于數(shù)據(jù)中心至關重要，因為它能夠檢測并糾正可能導致數(shù)據(jù)損壞的單bit內(nèi)存錯誤。通過預防這些錯誤，ECC技術確保了數(shù)據(jù)的完整性、系統(tǒng)的穩(wěn)定性和連續(xù)運行。
Sidefill側(cè)填充技術用于加固焊點，提高對機械沖擊的抵抗力，減少組件故障和系統(tǒng)停機的風險。此外，共形涂層保護內(nèi)存模塊免受濕氣、灰塵和污染物的侵害，防止腐蝕和電氣干擾，從而提高整個系統(tǒng)的耐用性。
此外，研華科技提供全球現(xiàn)場應用工程師（FAE）的支持和專業(yè)知識，確保數(shù)據(jù)中心無論在何處都能信賴他們提供的內(nèi)存解決方案。這種支持對于維持全球數(shù)據(jù)中心的順暢運作至關重要。
研華 SQR-RD5N 是新一代數(shù)據(jù)中心內(nèi)存解決方案的代表。它憑借高速、大容量、可靠的ECC和RDIMM技術，旨在滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的嚴格要求。出色的性能、強可靠性和可擴展性等優(yōu)勢，使SQRAM成為數(shù)據(jù)中心優(yōu)化運營和為未來增長做準備的理想選擇。
- SQRAM RDIMM DDR5 5600 MT/s 128GB（0 ~ 95°C）
- 采用工業(yè)級高品質(zhì)海力士/三星DRAM IC
- 抗硫化保護，適用于惡劣環(huán)境
- 30μ” PCB金手指，確保產(chǎn)品耐用性
- 提供附加服務：Sidefill涂層，抗震、抗潮
- 全球FAE支持和專業(yè)知識服務
- 終身保固支持
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